フレシキブル基板の製造方法

【概要】

本発明は、樹脂基材上に、チタン層と、バッファ層と、絶縁層と、アモルファスシリコン層を順次形成し、アモルファスシリコン層に、その表面温度が１６００～２０００Ｋの範囲で、エキシマレーザーを、波長１９０～４００ｎｍ、パルス幅１５～５０ｎｓ、周波数５００～６ｋＨｚ、１０～２００パルス、単位面積当たりのエネルギー量５０～２００ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射する、フレキシブル基板の製造方法である。

この製造方法によれば、樹脂基材の表面温度が一度も５００Ｋ（約２２７℃）を超えないため、基材の炭化等による損傷を防ぎ、耐熱温度が低い樹脂でもトランジスタ形成用の基材として使うことができる。

【説明文】

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）には、薄膜の電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられるが、近年は可撓性のある構造が求められるようになり、フレキシブルな樹脂基材が注目されている。そこで、本発明者らは、熱に弱い樹脂基材でも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造できる樹脂基材の製造方法を発明した。この製造方法は、基材上に金属層および耐熱性のバッファ層を形成することで、シリコン層を結晶化させる際にエキシマレーザーを照射しても、その熱が金属層およびバッファ層によって拡散され、樹脂基材が耐熱温度以上に加熱されない。その結果、樹脂基材の炭化等の破損を防止でき、様々な樹脂基材を利用できるようになる。