光電変換素子及びその製造方法
ライセンス
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案件情報
特許権
ジャンル:
電気・電子
登録番号:
特許第5360838
共通項目
希望取引:
- ライセンス
- 相談可
権利者:
国立大学法人岡山大学
説明
目的
ｐｎ接合を利用した太陽電池においてより効果的に光エネルギから電力を発生させる光電変換素子の提供。技術概要
本技術の光電変換素子では、ｐｎ接合を有する光電変換素子において、受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体をｐｎ接合部分に設ける。さらに、この光電変換素子では、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、（１）電気伝導度変化体を、Ｒを、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｈｆから選ばれる少なくとも１種類の元素、Ｍａ及びＭｂを、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｄから重複を許して選ばれる少なくとも１種類の元素、ｎを１以上の整数、ｍを０以上の整数、δを０以上０．２以下の実数として、（ＲＭｂＯ↓（３－δ））↓ｎ（ＭａＯ）↓ｍとして表される層状三角格子構造を有する化合物、またはその化合物のＲの一部を正二価以下の元素により置換した化合物とする。（２）電気伝導度変化体をｎ型電導体としてｐｎ接合を形成する。（３）ｐｎ接合を形成するｐ型電導体を有機物半導体で構成する。また、この光電変換素子の製造方法では、ｐｎ接合を有する光電変換素子の製造方法において、ｐｎ接合部分に受光することにより電気伝導度が変化する電気伝導度変化体を設ける工程を有する。