メモリ素子及びその製造方法、並びにメモリ素子を備えた記憶装置
ライセンス
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案件情報
特許権
ジャンル:
電気・電子
登録番号:
特許第5467241
共通項目
希望取引:
- ライセンス
- 相談可
権利者:
国立大学法人岡山大学
説明
目的
希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物の研究を行う中で、この化合物の誘電特性を利用することにより消費電力の小さいメモリ素子の提供。技術概要
本技術のメモリ素子では、電圧を印加することにより電気抵抗が変化する抵抗体と、この抵抗体に所定の電圧を印加するための電圧印加用の電極とを有するメモリ素子であって、抵抗体を希土類元素を含有した層状三角格子構造を有する化合物で構成する。さらに、本技術のメモリ素子では以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、（１）化合物が、Ｒを、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃ･･･