ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒

目的

有機半導体材料に関して、７００～８００ｎｍの波長領域に吸収を持つ材料は少なく、その殆どは金属錯体を骨格中に有しており、炭素、水素、酸素、硫黄等の軽元素のみからなり広い波長領域に吸収を持つ有機半導体材料の開発が待ち望まれている。このような有機半導体材料としてヘキサチアペンタセンがあるが、溶解性が低く、例えば、ウェットプロセスによる薄膜形成等が困難で、溶解性の向上が望まれていた。そこで、安定性に優れるとともに、高い溶解性を示し、有機半導体材料や光触媒として好適なヘキサチアペンタセン化合物を提供する。

技術概要

一般式で示されるヘキサチアペンタセン化合物［式中、Ｒ↑１、Ｒ↑２、Ｒ↑３及びＲ↑４は、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数１～１００の有機基及びハロゲン原子から選択される少なくとも１種である。］が提供される。このヘキサチアペンタセン化合物は、ペンタセン骨格の４，５，６，１１，１２及び１３位に硫黄原子が導入されてなるため、安定性に優れるとともに、２，３，９及び１０位に置換基を有してもよい炭素数１～１００の有機基及びハロゲン原子から選択される置換基が導入されてなるため、高い溶解性を示す。このヘキサチアペンタセン化合物の製法は、ペンタセン化合物を有機溶媒中で単体硫黄と反応させることにより一般式で示されるヘキサチアペンタセン化合物を得ることができる。図に、ヘキサチアペンタセンデンドリマー化合物１ａおよび化合物１ｂの↑１Ｈ ＮＭＲのスペクトル図およびＣＨＣｌ↓３中における紫外可視吸収スペクトル図を示す。